计划明年 6 月量产,消息称三星已确保 3nm 工艺良品率稳定

10 月 8 日消息,据国外媒体报道,5nm 芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子,都在全力推进 3nm 工艺的量产事宜,以便占得先机,进而获得更多的代工订单。

而韩国媒体最新的报道显示,三星电子已确保 3nm 制程工艺有稳定的良品率,他们计划在明年 6 月份开始量产,代工相关的芯片。

从韩国媒体的报道来看,三星电子 3nm 制程工艺计划在明年 6 月份开始量产,是三星电子方面的一名高管,当地时间周三在已在线方式举行的三星代工论坛上透露的。

三星电子的 3nm 工艺,并未继续采用采用鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,而是采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星方面表示,采用这一工艺代工的芯片,性能较 5nm 将提升 50%,能耗降低 50%。

三星电子方面对 3nm 工艺寄予厚望,多年前就已开始研发事宜。在今年 6 月底,有外媒在报道中表示,三星电子的 3nm 工艺已成功流片,距离量产又更近了一步。

目前在推进 3nm 工艺的另一家,是当前全球最大的芯片代工商台积电,在近几个季度的财报分析师电话会议上,台积电 CEO 魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进,计划今年下半年风险试产,明年大规模量产。

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